La empresa Toshiba y NEC han lanzado dos nuevos productos que representan una variedad de la aplicación de chips de memoria que utilizan algunas de las

propiedades de materiales magnetizados para el almacenamiento de la información. El primer chip de memoria de tipo FeRAM con alta densidad de diseño, la segunda – tipos de memoria MRAM, con una velocidad de lectura/escritura de hasta 200 mb/s. Hasta ahora es relativamente baja velocidad de intercambio de datos era MRAM una de las principales causas que impiden a ella en serio competir con la tradicional memoria tipo DRAM.

La principal ventaja de MRAM por encima de los tradicionales DRAM o SRAM es energonezavisimost – para guardar el estado de la celda de la aplicación de corriente eléctrica no es necesario. Por otro lado, todavía no se puede crear lo suficientemente compactas MRAM-módulos. Así, presentado por el chip que tiene realizadas por 130 nm tecnología de la conexión y de la celda, realizadas por 240 nm, tiene una capacidad total de 16 mbps. Para realizar las operaciones de lectura-escritura requiere de sólo 1.8 S.

La tecnología de FeRAM, o Ferroelectric Random Access Memory, permite crear un mayor desarrollo de dispositivos de 130 nm tehprotsesse se puede fabricar el chip de 64 mb. La verdad, la hora de un cuanto de este tipo de memoria es relativamente grande – alrededor de 60 ns y el consumo de energía es mayor que el de MRAM, pero en general FeRAM puede reivindicar el papel de una «término medio» entre la MRAM y DRAM.

– Los futuros de la tecnología de la memoria: FeRAM dentro;
– Análisis comparativo de 12 módulos de memoria DDR400.

Source: 3Dnews.ru

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